- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U
Détention brevets de la classe H10B 43/27
Brevets de cette classe: 1324
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
292 |
Kioxia Corporation | 9847 |
233 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
174 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
154 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
146 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
85 |
Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
46 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
22 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
22 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
21 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
15 |
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
10 |
JPMorgan Chase Bank, National Association | 10964 |
10 |
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
10 |
Intel Corporation | 45621 |
6 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
6 |
Monolithic 3D Inc. | 270 |
6 |
Lam Research Corporation | 4775 |
5 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
5 |
Autres propriétaires | 42 |